| 型号： | IRFIB5N65APBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Vishay Siliconix | 描述： | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRFIB5N65APBF PDF |  |
| 产品目录绘图 | IR(L,F)I Series Side 1 IR(L,F)I Series Side 2 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 930 毫欧 @ 3.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1417pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1529 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRFIB5N65APBF |